SI7461DP-T1-GE3 MOSFET -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Қысқаша сипаттама:

Өндірушілер: Vishay
Өнім санаты:MOSFET
Деректер тізімі:SI7461DP-T1-GE3
Сипаттама:MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
RoHS күйі: RoHS үйлесімді


Өнімнің егжей-тегжейі

Ерекше өзгешеліктері

Өнім тегтері

♠ Өнім сипаттамасы

Өнім атрибуты Төлсипат мәні
Өндіруші: Вишай
Өнім санаты: MOSFET
RoHS: Егжей
Технология: Si
Орнату стилі: SMD/SMT
Пакет/қорап: SOIC-8
Транзистордың полярлығы: P-арнасы
Арналар саны: 1 арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі: 30 В
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы: 5.7 А
Rds On - ағызу көзіне қарсылық: 42 мОм
Vgs - қақпа көзі кернеуі: - 10 В, + 10 В
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі: 1 В
Qg - қақпа заряды: 24 нС
Ең төменгі жұмыс температурасы: - 55 С
Максималды жұмыс температурасы: + 150 С
Pd - қуаттың шығыны: 2,5 Вт
Арна режимі: Жақсарту
Сауда атауы: TrenchFET
Қаптама: Ролик
Қаптама: Кесу таспасы
Қаптама: MouseReel
Бренд: Вишай жартылай өткізгіштері
Конфигурация: Бойдақ
Күз уақыты: 30 нс
Форвард өткізгіштік - Мин: 13 С
Өнім түрі: MOSFET
Көтеру уақыты: 42 нс
Серия: SI9
Зауыттық буманың саны: 2500
Ішкі санат: MOSFETs
Транзистор түрі: 1 P-арнасы
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты: 30 нс
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты: 14 нс
Бөлім # Бүркеншік аттар: SI9435BDY-E3
Бірлік салмағы: 750 мг

  • Алдыңғы:
  • Келесі:

  • • TrenchFET® қуатты MOSFET

    • Төмен жылу кедергісі 1,07 мм профилі бар PowerPAK® пакетіEC

    қосымша тауарлар