SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
♠ Өнім сипаттамасы
| Өнім атрибуты | Төлсипат мәні |
| Өндіруші: | Вишай |
| Өнім санаты: | MOSFET |
| RoHS: | Егжей |
| Технология: | Si |
| Орнату стилі: | SMD/SMT |
| Пакет/қорап: | SC-89-6 |
| Транзистордың полярлығы: | N-арнасы, P-арнасы |
| Арналар саны: | 2 арна |
| Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі: | 60 В |
| Идентификатор - үздіксіз төгу тогы: | 500 мА |
| Rds On - ағызу көзіне қарсылық: | 1,4 Ом, 4 Ом |
| Vgs - қақпа көзі кернеуі: | - 20 В, + 20 В |
| Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі: | 1 В |
| Qg - қақпа заряды: | 750 дана, 1,7 нС |
| Ең төменгі жұмыс температурасы: | - 55 С |
| Максималды жұмыс температурасы: | + 150 С |
| Pd - қуаттың шығыны: | 280 мВт |
| Арна режимі: | Жақсарту |
| Сауда атауы: | TrenchFET |
| Қаптама: | Ролик |
| Қаптама: | Кесу таспасы |
| Қаптама: | MouseReel |
| Бренд: | Вишай жартылай өткізгіштері |
| Конфигурация: | Қосарлы |
| Форвард өткізгіштік - Мин: | 200 мС, 100 мС |
| Биіктігі: | 0,6 мм |
| Ұзындығы: | 1,66 мм |
| Өнім түрі: | MOSFET |
| Серия: | SI1 |
| Зауыттық буманың саны: | 3000 |
| Ішкі санат: | MOSFETs |
| Транзистор түрі: | 1 N-арна, 1 P-арна |
| Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты: | 20 нс, 35 нс |
| Қосудың әдеттегі кешігу уақыты: | 15 нс, 20 нс |
| Ені: | 1,2 мм |
| Бөлім # Бүркеншік аттар: | SI1029X-GE3 |
| Бірлік салмағы: | 32 мг |
• IEC 61249-2-21 анықтамасына сәйкес галогенсіз
• TrenchFET® Power MOSFETs
• Өте кішкентай із
• Жоғары жақты ауысу
• Төмен қарсылық:
N-арна, 1,40 Ом
P-арнасы, 4 Ом
• Төмен шек: ± 2 В (тип.)
• Жылдам ауысу жылдамдығы: 15 нс (тип.)
• Gate-Source ESD қорғалған: 2000 В
• 2002/95/EC RoHS директивасына сәйкес
• Сандық транзисторды, деңгей ауыстырғышты ауыстырыңыз
• Батареямен жұмыс істейтін жүйелер
• Қуат көзі түрлендіргіш тізбектері
