IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

Қысқаша сипаттама:

Өндірушілер: Infineon
Өнім санаты: MOSFET
Деректер тізімі:IPD50N04S4-08
Сипаттама: MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
RoHS күйі: RoHS үйлесімді


Өнімнің егжей-тегжейі

Ерекше өзгешеліктері

Өнім тегтері

♠ Өнім сипаттамасы

Өнім атрибуты Төлсипат мәні
Өндіруші: Infineon
Өнім санаты: MOSFET
Технология: Si
Орнату стилі: SMD/SMT
Пакет/қорап: TO-252-3
Транзистордың полярлығы: N-арна
Арналар саны: 1 арна
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі: 40 В
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы: 50 А
Rds On - ағызу көзіне қарсылық: 7,2 мОм
Vgs - қақпа көзі кернеуі: - 20 В, + 20 В
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі: 2 В
Qg - қақпа заряды: 22,4 нС
Ең төменгі жұмыс температурасы: - 55 С
Максималды жұмыс температурасы: + 175 С
Pd - қуаттың шығыны: 46 Вт
Арна режимі: Жақсарту
Біліктілік: AEC-Q101
Сауда атауы: OptiMOS
Қаптама: Ролик
Қаптама: Кесу таспасы
Қаптама: MouseReel
Бренд: Infineon Technologies
Конфигурация: Бойдақ
Күз уақыты: 6 нс
Биіктігі: 2,3 мм
Ұзындығы: 6,5 мм
Өнім түрі: MOSFET
Көтеру уақыты: 7 нс
Серия: OptiMOS-T2
Зауыттық буманың саны: 2500
Ішкі санат: MOSFETs
Транзистор түрі: 1 N-арна
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты: 5 нс
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты: 5 нс
Ені: 6,22 мм
Бөлім # Бүркеншік аттар: IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1
Бірлік салмағы: 0,011640 унция

  • Алдыңғы:
  • Келесі:

  • • N-арна – Жақсарту режимі
    • AEC біліктілігі бар
    • MSL1 260°C ең жоғары қайта ағу
    • 175°C жұмыс температурасы
    • Жасыл өнім (RoHS сәйкес)
    • 100% қар көшкіні сыналды

    қосымша тауарлар