IPD50N04S4-08 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ Өнім сипаттамасы
Өнім атрибуты | Төлсипат мәні |
Өндіруші: | Infineon |
Өнім санаты: | MOSFET |
Технология: | Si |
Орнату стилі: | SMD/SMT |
Пакет/қорап: | TO-252-3 |
Транзистордың полярлығы: | N-арна |
Арналар саны: | 1 арна |
Vds - ағызу көзінің бұзылу кернеуі: | 40 В |
Идентификатор - үздіксіз төгу тогы: | 50 А |
Rds On - ағызу көзіне қарсылық: | 7,2 мОм |
Vgs - қақпа көзі кернеуі: | - 20 В, + 20 В |
Vgs th - Gate-Source шекті кернеуі: | 2 В |
Qg - қақпа заряды: | 22,4 нС |
Ең төменгі жұмыс температурасы: | - 55 С |
Максималды жұмыс температурасы: | + 175 С |
Pd - қуаттың шығыны: | 46 Вт |
Арна режимі: | Жақсарту |
Біліктілік: | AEC-Q101 |
Сауда атауы: | OptiMOS |
Қаптама: | Ролик |
Қаптама: | Кесу таспасы |
Қаптама: | MouseReel |
Бренд: | Infineon Technologies |
Конфигурация: | Бойдақ |
Күз уақыты: | 6 нс |
Биіктігі: | 2,3 мм |
Ұзындығы: | 6,5 мм |
Өнім түрі: | MOSFET |
Көтеру уақыты: | 7 нс |
Серия: | OptiMOS-T2 |
Зауыттық буманың саны: | 2500 |
Ішкі санат: | MOSFETs |
Транзистор түрі: | 1 N-арна |
Өшірудің әдеттегі кешігу уақыты: | 5 нс |
Қосудың әдеттегі кешігу уақыты: | 5 нс |
Ені: | 6,22 мм |
Бөлім # Бүркеншік аттар: | IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1 |
Бірлік салмағы: | 0,011640 унция |
• N-арна – Жақсарту режимі
• AEC біліктілігі бар
• MSL1 260°C ең жоғары қайта ағу
• 175°C жұмыс температурасы
• Жасыл өнім (RoHS сәйкес)
• 100% қар көшкіні сыналды