MURS120T3G түзеткіштері 200В 1А өте жылдам
♠ Өнім сипаттамасы
| Өнім атрибуты | Төлсипат мәні |
| Өндіруші: | онсеми |
| Өнім санаты: | Түзеткіштер |
| Орнату стилі: | SMD/SMT |
| Пакет/қорап: | SMB-2 |
| Vr - Кері кернеу: | 200 В |
| Егер - Форвард ток: | 2 А |
| Түрі: | Жылдам қалпына келтіру түзеткіштері |
| Конфигурация: | Бойдақ |
| Vf - алға кернеу: | 875 мВ |
| Максималды кернеу тогы: | 40 А |
| Ir - кері ток: | 2 уА |
| Қалпына келтіру уақыты: | 35 нс |
| Ең төменгі жұмыс температурасы: | - 65 С |
| Максималды жұмыс температурасы: | + 175 С |
| Серия: | MURS120 |
| Қаптама: | Ролик |
| Қаптама: | Кесу таспасы |
| Қаптама: | MouseReel |
| Бренд: | онсеми |
| Биіктігі: | 2,13 мм |
| Ұзындығы: | 4,32 мм |
| Pd - қуаттың шығыны: | - |
| Өнім: | Түзеткіштер |
| Өнім түрі: | Түзеткіштер |
| Зауыттық буманың саны: | 2500 |
| Ішкі санат: | Диодтар және түзеткіштер |
| Аяқтау стилі: | SMD/SMT |
| Ені: | 3,56 мм |
| Бірлік салмағы: | 0,007760 унция |
♠ Беткейге орнатылатын өте жылдам қуатты түзеткіштер
Жоғары вольтты, жоғары жиілікті түзету үшін немесе ықшам өлшемдері мен салмағы жүйе үшін маңызды болып табылатын жер үсті қондырғыларында еркін доңғалақ және қорғаныс диодтары ретінде өте қолайлы.
• J−Bend сымдары бар шағын ықшам бетке орнатылатын пакет
• Автоматтандырылған өңдеуге арналған төртбұрышты бума
• Жоғары температуралы шыны пассивтелген қосылыс
• Төмен алға кернеудің төмендеуі (макс. 0,71-1,05 В @ 1,0 А, TJ = 150°C)
• Бірегей сайтты және басқаруды өзгерту талаптарын талап ететін автомобиль және басқа қолданбаларға арналған NRVUS және SURS8 префикстері; AEC−Q101 білікті және PPAP қабілетті
• Бұл құрылғылар Pb−Free және RoHS сәйкес келеді
• Корпус: эпоксидті, құйылған
• Салмағы: 95 мг (шамамен)
• Аяқтау: барлық сыртқы беттер коррозияға төзімді және терминал сымдары оңай дәнекерленеді
• Дәнекерлеу мақсаттарына арналған қорғасын және монтаждау бетінің температурасы: 260°C Макс. 10 секундқа
• Полярлық: Полярлық жолағы катодты қорғасынды көрсетеді
• ESD рейтингі:
♦ Адам денесінің үлгісі = 3B (> 8 кВ)
♦ Машина үлгісі = C (> 400 В)
